來源：上海證券報(bào)·中國(guó)證券網(wǎng)

上證報(bào)中國(guó)證券網(wǎng)訊（記者 劉禮文）10月29日晚間，中微公司發(fā)布公告稱，其2025年前三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入80.63億元，同比增長(zhǎng)46.40%；歸屬于上市公司股東凈利潤(rùn)12.11億元，同比增長(zhǎng)32.66%。

值得一提的是，中微公司核心業(yè)務(wù)表現(xiàn)突出，其中刻蝕設(shè)備收入61.01億元，同比增長(zhǎng)約38.26%；LPCVD和ALD等薄膜設(shè)備收入呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，達(dá)到4.03億元，同比增長(zhǎng)約1332.69%，成為繼上半年608.19%高增長(zhǎng)后的又一亮點(diǎn)。

公告顯示，中微公司前三季度歸母凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)主要原因?yàn)椋阂皇窃诮衲昵叭径葼I(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)46.40%下，毛利較上年增長(zhǎng)約8.27億元；二是由于市場(chǎng)對(duì)中微開發(fā)多種新設(shè)備的需求急劇增長(zhǎng)，2025年公司顯著加大研發(fā)力度，前三季度公司研發(fā)支出較上年同期增長(zhǎng)9.79億元（增長(zhǎng)約63.44%），研發(fā)支出占公司營(yíng)業(yè)收入比例約為31.29%，遠(yuǎn)高于科創(chuàng)板均值；三是由于市場(chǎng)波動(dòng)，公司前三季度計(jì)入非經(jīng)常性損益的股權(quán)投資收益為3.29億元，較上年同期增加約2.75億元。

據(jù)披露，中微公司針對(duì)先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升，先進(jìn)邏輯器件中段關(guān)鍵刻蝕工藝和先進(jìn)存儲(chǔ)器件的超高深寬比刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

其中，CCP方面，公司用于關(guān)鍵刻蝕工藝的單反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品保持高速增長(zhǎng)，60比1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備成為國(guó)內(nèi)標(biāo)配設(shè)備，量產(chǎn)指標(biāo)穩(wěn)步提升，下一代90比1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備即將進(jìn)入市場(chǎng)；ICP方面，適用于下一代邏輯和存儲(chǔ)客戶用ICP刻蝕設(shè)備和化學(xué)氣相刻蝕設(shè)備開發(fā)取得了良好進(jìn)展。加工的精度和重復(fù)性已達(dá)到單原子水平。公司為先進(jìn)存儲(chǔ)器件和邏輯器件開發(fā)的LPCVD、ALD等多款薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進(jìn)入市場(chǎng)，并且設(shè)備性能完全達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，薄膜設(shè)備的覆蓋率不斷增加。公司硅和鍺硅外延EPI設(shè)備已順利運(yùn)付客戶端進(jìn)行量產(chǎn)驗(yàn)證，并且獲得客戶高度認(rèn)可。在泛半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，公司正在開發(fā)更多化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備，已陸續(xù)付運(yùn)至客戶端開展生產(chǎn)驗(yàn)證。