為加快推進半導體照明技術進步和產業發展，支撐半導體照明戰略性新興產業發展，科技部在前期調研的基礎上，經充分研討和論證，研究制定了《半導體照明科技發展“十二五”專項規劃》（以下簡稱《專項規劃》）并廣泛征求意見。

　　日前，《專項規劃》全文公布（詳見科技部網站和中國科技網）。該規劃制定的背景是什么？我國半導體“十二五”發展總體目標和原則是什么？我國將在哪些半導體照明技術和應用領域重點布局？取得哪些關鍵性突破？如何保障專項規劃落到實處？為此，科技部高新司負責人接受科技日報記者專訪，就相關情況答記者問。

　　問：國際半導體照明技術和產業發展趨勢是什么？

　　答：近年來，半導體照明技術快速發展，正向更高光效、更低成本、更可靠、更多元化領域和更廣泛應用方向發展。雖然半導體照明技術創新速度遠遠超過預期，但與理論光效相比仍有巨大的創新空間。半導體照明技術的競爭焦點主要集中在GaN基LED外延材料與芯片、高效高亮度大功率LED器件、LED功能性照明產品、OLED照明、半導體照明創新應用以及MOCVD（金屬有機物化學氣相沉積設備）等重大裝備開發等方面。

　　在產業領域，半導體照明產業爆發式增長，競爭整合速度加劇。半導體照明被認為是21世紀最具發展潛力的戰略性新興產業。近年來，世界各國政府均安排了專項資金，設立專項計劃，制定了嚴格的白熾燈淘汰計劃，大力扶持本國半導體照明技術創新與產業發展。

　　問：我國半導體照明的發展需求和現有水平如何？

　　答：隨著人們對更高照明品質的追求，半導體照明應用市場的快速發展，以及城市化進程對節能減排的壓力日益增大，迫切需要開展LED光源及照明產品的產業化關鍵技術研發；與此同時，半導體照明產業發展也有利于推動新型顯示、數字家電、汽車、裝備等國民經濟支柱產業的轉型升級。此外，半導體照明產業的技術、勞動雙密集型特征，可以創造更多的就業崗位。

　　在國家科技計劃研發投入的持續支持和市場需求的帶動下，我國半導體照明技術創新能力得到了迅速提升，國產功率型白光LED器件光效超過120lm/W，接近國際先進水平。具有核心自主知識產權的Si襯底功率型LED器件已實現產業化，光效超過100lm/W；指示、顯示和中大尺寸背光源產業初具規模，功能性照明節能效果已經顯現。現已制定并公布了22項國家標準和行業標準。

　　問：我國半導體照明產業與國際水平還有哪些方面的差距？專項規劃的實施有什么意義？

　　答：我國半導體照明產業與國際先進水平的差距主要體現在：MOCVD等核心設備及部分原材料仍然依賴進口；外延芯片缺乏核心專利；測試方法及設備支撐不足；相關專利及技術規范研究和布局落后于產業發展。

　　在搶占產業制高點的關鍵時期，制定半導體照明專項規劃，有助于進一步明確未來五年我國技術突破的重點方向，從而集中資源解決產業發展技術瓶頸，逐步縮小產業鏈上游技術創新與國際水平差距，通過系統集成創新在下游照明應用實現跨越式發展。

　　問：我國半導體“十二五”發展總體目標和原則是什么？

　　答：《半導體照明科技發展“十二五”專項規劃》的總體目標是：到2015年，實現從基礎研究、前沿技術、應用技術到示范應用全創新鏈的重點技術突破，關鍵生產設備、重要原材料實現國產化；重點開發新型健康環保的半導體照明標準化、規格化產品，實現大規模的示范應用；建立具有國際先進水平的公共研發、檢測和服務平臺；建成一批試點示范城市和特色產業化基地，培育一批擁有知名品牌的龍頭企業，形成具有國際競爭力的半導體照明戰略性新興產業。

　　專項規劃實施的基本原則是：堅持統籌規劃與市場機制相結合；堅持系統布局與重點突破相結合；堅持平臺建設與人才培養相結合；堅持立足國內與面向國際相結合。